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    功率半導(dǎo)體封裝與可靠性安徽省重點實驗室2025年開放研究課題申請指南

    時間:2025-05-06 17:15  作者:  來源:  閱讀量:

    功率半導(dǎo)體封裝與可靠性安徽省重點實驗室依托于合肥工業(yè)大學(xué),主要圍繞安徽省新能源產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的功率半導(dǎo)體器件的重大科技問題,開展創(chuàng)新性基礎(chǔ)研究和應(yīng)用基礎(chǔ)研究,為實現(xiàn)國家“雙碳”目標和安徽省新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供堅實的基礎(chǔ)理論和技術(shù)支撐。

    為充分發(fā)揮安徽省重點實驗室科研平臺的作用,促進科研合作和學(xué)術(shù)交流,實驗室根據(jù)“開放、聯(lián)合、流動、競爭”的運行機制設(shè)立開放課題。課題申請人須選定本實驗室研究人員為聯(lián)系人進行聯(lián)合研究,以促進相關(guān)學(xué)科的相互交叉和集成。熱忱歡迎和邀請相關(guān)領(lǐng)域的國內(nèi)外科研人員來實驗室進行合作研究,共同推動安徽省新能源產(chǎn)業(yè)所需功率半導(dǎo)體封裝與可靠性方面科學(xué)與技術(shù)的發(fā)展。現(xiàn)發(fā)布功率半導(dǎo)體封裝與可靠性安徽省重點實驗室2025年開放研究課題申請指南如下:

    一、選題范圍

    1.先進封裝材料與結(jié)構(gòu)

    針對傳統(tǒng)封裝材料限制寬禁帶器件本征高溫性能,傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)寄生參數(shù)高,難以發(fā)揮寬禁帶器件高速開關(guān)特性的重大科技問題:1)研究適用于寬禁帶器件的高溫封裝與互聯(lián)材料,提升封裝最高工作溫度,充分發(fā)揮寬禁帶器件的高溫性能;2)研究高效散熱三維封裝結(jié)構(gòu),解決寬禁帶器件芯片尺寸小引起的強熱流密度問題,提升寬禁帶器件封裝散熱效率;3)研究器件動靜態(tài)特性與電磁參數(shù)交互影響規(guī)律,探索低寄生參數(shù)封裝理論,充分發(fā)揮寬禁帶器件高速開關(guān)特性。

    2.可靠性提升方法與理論

    針對先進封裝材料體系與結(jié)構(gòu)中多材料界面間失效機理發(fā)生根本變化,老化表征參數(shù)缺失,難以評估器件失效機理,缺乏可靠性提升理論的重大科技問題:1)構(gòu)建寬禁帶器件封裝多材料界面應(yīng)力變化數(shù)學(xué)模型,揭示多材料界面間應(yīng)力應(yīng)變的協(xié)調(diào)機理;2)探究器件封裝加速老化測試與表征方法,研究參數(shù)退化機理,為失效機理分析和可靠性評估奠定理論基礎(chǔ);3)研究寬禁帶器件的復(fù)雜工況失效機理,發(fā)展器件失效定位技術(shù),提出失效表征方法和可靠性提升理論。

    3.高功率密度系統(tǒng)集成

    針對高密度系統(tǒng)集成增加元器件電磁噪聲干擾,強熱流密度加劇系統(tǒng)散熱問題,降低系統(tǒng)運行可靠性的重大科技問題:1)研究寬禁帶器件高開關(guān)速度下系統(tǒng)電磁兼容特性,提出先進智能門極驅(qū)動,全面提升功率器件應(yīng)用可靠性;2)研究多物理場狀態(tài)在線檢測方法,提出主動熱管理等健康狀態(tài)調(diào)控方法,改善變流器系統(tǒng)長期可靠性;3)研究新型高頻電力電子拓撲架構(gòu)、先進調(diào)制及控制策略、高功率密度系統(tǒng)集成與電磁熱力協(xié)同優(yōu)化方法。

    主要支持上述選題范圍的研究。對于不直接屬于這些范圍,但具有重要科學(xué)意義、有創(chuàng)意的課題及其他有關(guān)的新思想、新原理、新方法和新技術(shù),也將擇優(yōu)支持。

    二、申請人資格

    申請人應(yīng)有固定的工作單位,原則上為非本實驗室固定人員,年齡不超過40周歲,本實驗室研究領(lǐng)域內(nèi)安徽省行業(yè)骨干企業(yè)的申請優(yōu)先資助。項目的第二申請人須為本實驗室固定人員,校內(nèi)申請人員不能有在研或申報當年中央科研基本業(yè)務(wù)費的其他項目。

    三、申請?zhí)峤灰?/span>

    申請者按規(guī)定的格式要求填寫功率半導(dǎo)體封裝與可靠性安徽省重點實驗室開放課題申請書,經(jīng)所在單位簽署意見并加蓋單位公章后,在規(guī)定的時間之內(nèi)將紙質(zhì)版申請書、任務(wù)書(一式兩份)寄給指定收件人;同時將項目申請書、任務(wù)書(word版以及蓋章掃描版)和項目清單電子檔以“姓名-功率半導(dǎo)體封裝與可靠性-2025年重點實驗室自主創(chuàng)新專項”命名通過E-mail發(fā)給聯(lián)系人。

    實驗室將對申請書進行形式審查;本著公平競爭、擇優(yōu)支持的原則對通過形式審查的申請項目進行評審。

    四、支持強度、申請截止日期、考核重點

    開放課題的研究年限為2年,每項課題的資助強度最低限額5萬元,第一年度撥付60%,剩余40%在下一年度項目通過中期檢查后撥付,項目執(zhí)行期為2年,擬定資助項目不少于3項。

    申請截止日期:2025年5月8日。

    開放課題考核注重申請人與本實驗室合作人員學(xué)術(shù)交流,如到實驗室作學(xué)術(shù)報告、聯(lián)合發(fā)表高水平論文、聯(lián)合申請相關(guān)項目等。

    五、聯(lián)系人

    陸曉珂聯(lián)系電話:15375350865

    E-mail:xiaoke.lu@hfut.edu.cn

    六、郵寄指定收件人

    收件人:陸曉珂15375350865

    郵寄地址:安徽省合肥市屯溪路193號合肥工業(yè)大學(xué)

    為方便收件,如郵寄申請書的,請統(tǒng)一選擇順豐速運。

    七、功率半導(dǎo)體封裝與可靠性安徽省重點實驗室開放課題申報申請書和任務(wù)書見附件。

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